目次

序論　次世代パワー半導体の研究開発動向
第1編　次世代パワー半導体の開発
　第1章　SiCパワー半導体
　　第1節　SiC単結晶成長における結晶欠陥発生のメカニズムとその制御
　　第2節　酸化排除による高品質SiC MOS界面の形成
　　第3節　SiC電気特性の空間分解測定
　　第4節　SiCを用いた縦型スーパージャンクションMOSFETの開発
　　第5節　SiCパワー半導体素子における抵抗要因の影響度の解明
　第2章　GaNパワー半導体
　　第1節　GaNパワー半導体開発の現状と実用化
　　第2節　Naフラックス法によるGaN結晶育成技術の進展とその社会実装の展望
　　第3節　酸性アモノサーマル法によるGaN単結晶製造技術
　　第4節　DLTS法によるGaN中の点欠陥の評価技術
　　第5節　高耐圧なGaNパワーデバイス
　第3章　ダイヤモンドパワー半導体
　　第1節　ダイヤモンドパワーFET開発の現状と実用化の可能性
　　第2節　大型単結晶ダイヤモンドの作製技術開発
　　第3節　ダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドFETへの応用
　　第4節　ダイヤモンド半導体を用いた耐高温デバイスの作製と高性能化
　　第5節　ダイヤモンドパワーデバイスの開発のための材料評価技術
　　第6節　NO2吸着とAl2O3パッシベーションによるダイヤモンドFETの熱的安定性改善と大電流動作
　　第7節　冷却フリー、耐環境エレクトロニクスに向けたダイヤモンド半導体素子の開発
　第4章　Ga2O3(酸化ガリウム)パワー半導体
　　第1節　β型酸化ガリウムパワーデバイス開発
　　第2節　β型酸化ガリウム結晶の高純度成長法
　　第3節　β型酸化ガリウム基板結晶とエピタキシャル膜の高品質化技術
　　第4節　ミストドライ®法によるα型酸化ガリウムパワー半導体の開発
　　第5節　ミストを用いた半導体製造装置
第2編　次世代パワー半導体の実装技術と信頼性
　第1章　パワー半導体・デバイスの実装技術
　　第1節　次世代パワー半導体に求められる実装技術
　　第2節　高精度なパワー半導体シミュレーション技術
　第2章　パワー半導体・デバイスにおけるEMC
　　第1節　半導体集積回路EMCにおける国際規格動向
　　第2節　高精度なEMC予測を実現するパワー半導体向けデバイスモデリング技術
　第3章　パワー半導体・デバイスの評価
　　第1節　パワー半導体における実装用接合材料の特性評価法
　　第2節　SiCパワー半導体のパッケージ技術
　　第3節　次世代パワー半導体における実装材料と寿命予測シミュレーション
第3編　次世代パワー半導体の適用事例
　第1章　自動車における次世代パワー半導体の実用化
　　第1節　電動自動車向け SiC パワー半導体の開発
　　第2節　電動航空機モデリング技術の最新動向と新材料パワー半導体の空飛ぶクルマへの適用効果
　第2章　通信・医療機器における次世代パワー半導体の実用化
　　第1節　GaN双方向スイッチとその回路応用
　　第2節　超高電圧機器への SiC パワーデバイスの適用
　第3章　その他次世代パワー半導体の実用化
　　第1節　パワー半導体のエアコンへの適用
　　第2節　SiC ハイブリッドモジュールの鉄道車両への適用