シリコンに導入されたドーパントの物理

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著：公益社団法人応用物理学会半導体分野将来基金委員会

出版社：近代科学社Digital

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内容紹介

本書は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである不純物ドーピングにおける基本的な課題や学術的疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点から理解を深めることを目的としています。シリコンナノエレクトロニクスおよびシリコンパワー半導体技術の両方に対して、ドーピングに伴って起こるさまざまな現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服するかという技術展開を詳述しています。

第1部ドーピングの基礎
第1章シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^-3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価
第2章シリコン基板中のドーパントとその制御
第3章シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり
第4章ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構：計算科学によるアプローチ
第5章放射光を用いた光電子ホログラフィーによるシリコン中の高濃度ドーパントクラスターの3次元原子配列構造解析

第2部ナノシリコンデバイス
第6章シリコンデバイスへのドーピング技術の事共
第7章シリコンナノ結晶への不純物ドーピング
第8章 IV族半導体ナノワイヤへの不純物ドーピングと評価
第9章シリコンへの高濃度ドーピングにおける活性化と不活性化

第3部パワー半導体
第10章パワー半導体とドーピング技術
第11章パワー半導体用シリコンウェーハにむけた中性子核変換ドーピングの現状と今後の展開
第12章パワー半導体における宇宙線照射による故障のTCADを用いた解析
第13章 300mmSi-IGBT時代へ向けた不純物ドーピング制御の物理的課題と技術的挑戦

JP-eコード：7649071811000000000Q
出版社：近代科学社Digital
コンテンツ公開日：2025年02月28日。

※同一作品の他版、アクセシブルブックにはAIにより推定されたものが含まれる場合があります。

シリコンに導入されたドーパントの物理

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