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超LSI研究所は1976年に設立された官民合同の技術研究組合で、競合会社（富士通、日立、三菱、日電、東芝）の技術者が共同研究する事は世界初の試みである。僅か四年の期間ではあったが、多大な成果を主に、基礎的共通的な製造装置の開発で上げ、日本が1980年代初期の半導体世界精算シェアの第一位に上り詰めるのに多大な貢献をなした。本研究所の元所員が当時を振り返る。

はしがき（超LSI共同研究所元所長　垂井康夫）
「寄稿」超LSI共同研究所時代の社会実態と今日における人材育成の重要性（田島節子）
序論―日本の半導体は世界シェア50％を得た後、なぜ下降を辿ったのか（垂井康夫）
1章 超LSI 共同研究所の設立前夜とその成果（垂井康夫）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
2章 電子線源と電子光学系（中筋護）
3章 微細電子線描画・検査技術とその変遷
４章　可変成型ビームベクタースキャン型電子ビーム描画装置（垂井康夫）
５章　汎用型電子線描画技術およびその周辺技術の開発
６章　結晶技術
7章　クリーン技術と露光技術（岩松誠一）
8章　デバイス基礎技術および関連する設計・評価基礎技術（清水京造）
あとがき

監：垂井　康夫
1929年に東京市小石川で生まれ、1951年に早稲田大学第一理工学部電気工学科を卒業して工業技術院電気試験所に入所した。1958年にバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタを一体化した一種の集積回路の特許を申請し、1961年1月21日に傳田精一のグループと共に日本で最初の集積回路を完成した。1965年に電気試験所半導体部品研究室長になり、1968年には電子線描画装置を発案して1969年にはショットキーTTL、1970年にはDSAMOSトランジスタを発案した。1976年に超LSI技術研究組合の共同研究所所長に就任。1981年には東京農工大学電子工学科の教授に就任した。

著：超LSI共同研究所元所員
富士通、日立、三菱、日電、東芝　出身の技術者。