目次

Ⅰ　序編
　第1章　概論
　第2章　スピントロニクス研究の歴史
　　第1節　磁性金属多層膜と界面磁性
　　第2節　磁気トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果
Ⅱ　基礎編
　第3章　磁気の基礎
　　第1節　磁気モーメントと磁気状態
　　第2節　磁気異方性とスピン軌道相互作用
　　第3節　磁区と磁壁，磁化過程
　　第4節　強磁性共鳴とスピン波
　　第5節　磁気ダンピング
　　第6節　磁性金属多層膜の層間交換結合
　　第7節　交換磁気異方性（交換バイアス）
　第4章　磁気輸送現象
　　第1節　異方性磁気抵抗効果
　　第2節　プラナーホール効果
　　第3節　正常ホール効果と異常ホール効果
　　第4節　巨大磁気抵抗効果（GMR）
　　第5節　トンネル磁気抵抗効果（TMR）
　　第6節　トンネル異方性磁気抵抗（TAMR)
　　第7節　スピン流の生成と検出 Generation and detection of spin current
　第5章　スピン操作の基礎現象
　　第1節　スピン移行トルク
　　第2節　スピンホール効果
　　第3節　スピン軌道トルク
　　第4節　マルチフェロイクス
　　第5節　電圧磁気異方性制御
　第6章　スピントロニクスの新現象
　　第1節　スピンと光の諸現象
　　第2節　スピンと熱の諸現象
　　第3節　スキルミオン
　　第4節　反強磁性体スピントロニクス
　第7章　磁化ダイナミクス
　　第1節　磁壁の電流駆動
　　第2節　光誘起磁化反転
　第8章　電気磁気効果
　　第1節　クロム酸化物
　　第2節　強磁性体/強誘電体ヘテロ構造における電気磁気効果
Ⅲ　材料物性編
　第9章　高磁気異方性
　　第1節　高結晶磁気異方性
　　　第1項　L10型規則合金の結晶磁気異方性
　　　第2項　垂直磁化を示すマンガン磁性合金
　　　第3項　正方晶FeCo合金の磁気異方性
　　第2節　界面垂直磁気異方性
　　　第1項　磁性金属/非磁性金属界面の垂直磁気異方性
　　　第2項　磁性金属/酸化物界面の垂直磁気異方性
　　　第3項　CoFeB/MgO積層構造の垂直磁気異方性
　第10章　高スピン偏極材料
　　第1節　遷移金属・合金
　　第2節　ホイスラー合金
　　　第1項　ホイスラー合金材料概要
　　　第2項　Co基フルホイスラー合金
　　　第3項　ハーフホイスラー合金
　　第3節　酸化物
　第11章　トンネル障壁
　　第1節　トンネル障壁の物理
　　第2節　トンネル障壁材料
　　　第1項　Al酸化物および他のアモルファス系トンネル障壁
　　　第2項　結晶MgO（001）トンネル障壁およびその他の結晶性酸化物トンネル障壁
　　　第3項　トンネル障壁材料・その他酸化物，新規材料等
　第12章　反強磁性交換結合膜
　　第1節　交換バイアス反強磁性体
　　第2節　交換バイアス反強磁性酸化物
　　第3節　層間結合と人工反強磁性体
　第13章　GMRスペーサ
　　第1節　面内通電GMRと非磁性中間層材料
　　第2節　垂直通電GMRと非磁性中間層材料
　　第3節　垂直通電GMRの非磁性狭窄構造
　第14章　スピンホール効果（電極）材料
　　第1節　重元素系
　　　第1項　Ta, W,
　　　第2項　合金系のピンホール効果
　　第2節　反強磁性体
　　第3節　バンド構造によるスピンホール効果
　　第4節　トポロジカル絶縁体
　第15章　界面垂直磁気異方性の電界制御
　　第1節　電界による磁気異方性制御の物理機構 Microscopic origin of voltage-controlled magnetic anisotropy effect
　　第2節　電圧磁気異方性制御の材料設計
　第16章　半導体スピントロニクス材料
　　第1節　磁性半導体
　　第2節　電界によるスピン制御
　　第3節　半導体量子構造の電子スピン波物性と制御
　第17章　分子スピントロニクス ―Molecular spintronics―
Ⅳ　先端計測・計算科学編
　第18章　放射光計測
　　第1節　放射光XMCD
　　第2節　放射光イメージング
　第19章　パルス光磁気計測
　第20章　スピントルク磁気共鳴（ST-FMR）―Spin-torque-induced ferromagnetic resonance―
　第21章　STEM法の基礎と応用
　第22章　テラヘルツ波を用いた計測
　第23章　第一原理計算
　第24章　マクロスピンシミュレーション
Ⅴ　応用編
　第25章　磁気ストレージ
　　第1節　磁気ストレージの今日と将来展望
　　第2節　記録方式
　第26章　磁気センサ
　　第1節　GMR効果およびTMR効果の磁気センサへの応用
　　　第1項　GMR磁気センサ
　　　第2項　TMR磁気センサ
　　第2節　生体磁気センシング
　　第3節　IoT/IoHと磁気センサの将来展望
　第27章　不揮発性メモリMRAM
　　第1節　MRAMの進展と将来展望
　　第2節　垂直磁化STT-MRAM
　　　第1項　垂直磁気異方性材料の利用
　　　第2項　金属/酸化物界面垂直磁気異方性の利用
　　第3節　スピン軌道トルクMRAM
　　第4節　電圧トルクMRAM
　　第5節　スピントロニクスメモリ，In-plane SOT-MRAM ＆ VoCSM
　　第6節　磁壁移動型MRAM
　第28章　単結晶磁気トンネル接合素子と三次元積層化技術
　　第1節　大径ウェーハ上へのエピタキシャル成長
　　第2節　ウェーハ貼合せと三次元積層技術
　第29章　不揮発性論理集積回路
　　第1節　エナジーハーベスト電力駆動超省電力SoCへの展望
　　第2節　スピントロニクス回路/システムの基本構成要素
　　　第1項　記憶回路 ―レジスタ，メモリ―
　　　第2項　演算回路
　　　第3項　その他の基本構成要素
　　第3節　スピントロニクス回路/システム応用
　　　第1項　不揮発性マイクロプロセッサ/マイクロコントローラへの応用
　　　第2項　AIハードウェアへの応用
　　　第3項　耐災害性を考慮した回路・システム実現
　　第4節　スピントロニクス集積回路の設計技術
　　　第1項　回路シミュレータSPICE上のスピントロニクス素子モデル
　　　第2項　スピントロニクス回路の設計フロー
　　第5節　スピントロニクス集積回路の集積化プロセス技術
　　第6節　不揮発性論理集積回路が拓く未来
　第30章　高周波デバイス
　　第1節　高周波スピントロニクスの進展と将来展望
　　第2節　磁気渦スピントルク発振素子と同期現象
　　第3節　スピントルク検波素子
　　第4節　高周波デバイスの各種応用
　第31章　新機能デバイス
　　第1節　物理乱数発生素子 Spin dice
　　第2節　スピン波デバイス
　　第3節　異常ネルンスト効果とその熱電デバイス応用
　　第4節　ニューロモルフィックデバイス・回路
　　第5節　IV族半導体への電気的スピン注入と検出
　　第6節　スピンを用いた量子センサ ―ダイヤモンドNV中心―
　第32章　スピントロニクスが切り拓く超低消費電力エレクトロニクスの世界