出版書誌データベース

　本書が対象とする半導体デバイス（以下デバイス）はシリコン集積回路（LSI）、パワーデバイス、化合物半導体発光デバイス、です。対象とする不具合は不良（製造工程中で不具合になったもの）と故障（使用中か信頼性試験により不具合になったもの）です。
　対象読者は、半導体デバイスのプロセス・デバイス技術者、信頼性技術者、故障解析技術者、試験・解析・実験担当者、その他技術者全般、大学・大学院生と幅広い層を想定しています。そのため、基礎から最新情報までと幅広いレベルの内容を網羅しています。
　また、それぞれの分野のある側面を気軽に知ることができるコラムを随所に入れました。さらに、日本科学技術連盟主催の「初級信頼性技術者」資格認定試験に出るような5択問題を第2～4章の末尾に3問ずつ掲載しました。

第1章　半導体デバイスの不良・故障解析技術の概要
第2章　シリコン集積回路（LSI）の故障解析技術
第3章　パワーデバイスの不良・故障解析技術
第4章　化合物半導体発光デバイスの不良・故障解析技術

編著：二川　清
二川清
1949年大阪市生まれ。
大阪大学大学院基礎工学研究科 物理系修士課程修了。工学博士。
NEC、NECエレクトロニクスにて半導体の信頼性・故障解析技術の実務と研究開発に従事。
大阪大学特任教授、金沢工業大学客員教授、日本信頼性学会副会長などを歴任。現在、芝浦工業大学非常勤講師。

著：上田　修
上田修
1950年大阪市生まれ。
東京大学工学部物理工学科 卒業。工学博士。
1974年-2005年、富士通研究所（株）にて、半導体中の格子欠陥の評価および半導体発光デバイス・電子デバイスの劣化メカニズム解明の研究に従事。2005年-2019年、金沢工業大学 大学院工学研究科 教授。現在、明治大学 客員教授。

著：山本　秀和
山本秀和
1956年釧路市生まれ。
北海道大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 博士後期課程修了。工学博士。
三菱電機にてSi-LSIおよびパワーデバイスの研究開発に従事。
現在千葉工業大学教授。パワーデバイスおよびパワーデバイス用結晶の評価技術の研究に従事。
北海道大学客員教授、パワーデバイスイネーブリング協会理事、新金属協会シリコン結晶評価技術国際標準審議委員会委員長、新金属協会半導体サプライチェーン研究会副委員長などを歴任。