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GaN(ガリウム・ナイトライド)，SiC(シリコン・カーバイド)など，新しい半導体材料によるパワー・デバイスが実用化されてきており，実際の製品への応用が広がりつつあります．
　特集では，これら新パワー・デバイスの特長を生かした活用方法を探求していきます．高電圧動作のパワー・エレクトロニクス回路を高速にスイッチングすることが可能となるため，数kWクラスのパワー回路を小型かつ軽量に実現できるようになります．

従来のMOSFETと同じように使える！高安全性・高信頼性ノーマリOFF型誕生！
特集「30MHz/10kWスイッチング！超高速GaNトランジスタの実力と応用」
☆第1章　GaNパワー・デバイスの現状
☆2章　最新ワイドギャップ・パワー・デバイスの基本特性比較
☆第3章　GaN素子の電気自動車インバータへの応用の可能性
☆第4章　GaNトランジスタTPH3006PSで作る効率99%の300Wインバータ

第2特集「SiCトランジスタで作る5kW超小型インバータ」
☆第1章　スイッチング特性から見たSiC MOSFETとSi IGBTの比較
☆第2章　SiC MOSFETを使った5kW高効率LLCコンバータの試作

GE Articles
☆HybridMOS～内部構造で異なる新型MOSFETの性能～
■スイッチング・デバイスの内部構造の違いと動作原理
■HybridMOS の使いどころ
■HybridMOS と他デバイスとの性能比較
■HybridMOS のメリットとデメリット
■HybridMOS の今後の展開
■コラム　 HybridMOS 誕生の背景

☆ケース入りノイズ・フィルタのコモン・モード・チョーク実装位置による高域減衰特性の悪化を防ぐ
■ケース入りノイズ・フィルタ…内部レイアウト
■ノイズ・フィルタの回路解析
■伝導妨害波の確認