第1章 シリコン貫通電極の重要性
1 LSIは2次元から3次元へ
2 3次元構造のシリコンデバイス
3 TSVデバイスの将来予想
4 世界のTSV研究開発
5 3次元実装とTSV関連学会の動向
6 TSV開発の歴史
7 ウエハプロセスと実装技術
参考文献
第2章 TSVの基本製作プロセス
1 ビアファーストプロセス
2 ビアラスト表面ビアプロセス
3 ビアラスト裏面ビアプロセス
4 ビアファーストとビアラストの比較
5 TSV付インターポーザ
参考文献
第3章 TSV作成技術
1 シリコン深堀エッチング
2 ビアエッチングでの問題点
3 レーザドリリングによるビア開孔
4 ビア内壁の多層膜構造
5 絶縁用酸化膜生成
6 バリヤメタルの作成
7 めっき電極を作るシードメタル
8 銅フィリングめっき
9 ポリシリコン充填ビア
10 タングステン充填ビア
11 ビア伝導体としての導電ペースト
12 TSV接続用バンプ電極
13 非酸化膜の樹脂絶縁構造
14 TSVウエハの薄化
15 裏面ビアプロセスの加工温度
16 TSVの加工コストとCoO
参考文献
第4章 代表的なTSV応用積層デバイス
1 IBMのタングステンリングビア
2 エルピーダのポリシリコンビアDRAM
3 日立の常温接合嵌込みSiP
4 インテルのTSV応用CPU
5 エプソンのビアラストTSV
6 TSVのパイオニア，ASET
7 東北大学のスーパーチップ
8 IZM研究所のICV-SLID
9 セマテックのコスト分析
10 IMECの各種TSV開発
11 メモリのトップランナー三星
12 テザロンのタングステンビア
13 ホンダリサーチのバンプレスTSV
14 WOWアライアンスのウエハ積層
15 RTIの2層赤外線センサ
16 STマイクロのポリシリコンビア
17 CEA-Letiのシステムオンウエハ
18 ITRIのレーザビア積層とクランプTSV
19 IMEのシステムパッケージング
20 早稲田大学の非ブラインドめっき
参考文献
第5章 シングルTSVイメージセンサ
1 TSV応用CMOSセンサ
2 東芝のTSVセンサ実用化
3 ザイキュービのイメージセンサ
4 三洋電機のセンサ用ウエハサポート剥離技術
5 テセラのシェルケース側壁配線
6 CEAのイメージセンサ
参考文献
第6章 シリコンTSVインターポーザ
1 インターポーザの重要性
2 大日本印刷のインターポーザ
3 フジクラの高速充填ビア
4 新光電気のファインピッチインターポーザ
5 三菱電機のはんだ滴下充填ビア
参考文献
第7章 TSVウエハとチップの積層
1 ウエハ積層は可能か
2 異種ウエハの3枚積層
3 確実な良品チップ積層
4 アクティブウエハへのKGDチップ積層
5 TSVの配置とチップレイアウトの新設計
6 液体を使った自動位置合わせ
参考文献
第8章 TSVの電気的特性と熱特性
1 ポリシリコンビアの直流抵抗
2 タングステンと銅のリングビア抵抗
3 スパッタリング膜の抵抗値
4 酸化膜厚が高周波特性に影響
5 TSVのGSG等価回路
6 同軸構造ビアの高周波特性
7 TSVウエハ内のストレス
8 積層構造の熱の発生と放散
9 インテルのサーマルTSV提案
10 IBM-GITのチップ内液体冷却構造
11 デバイス冷却用シリコンインターポーザ
12 新光電気のインターポーザレスパッケージ
13 チップ回転によるホットスポット会費
参考文献
あとがき
索 引
