1. 半導体物性
1.1 シリコン結晶中の電子および正孔濃度
1.2 半導体の電気伝導
1.3 衝突電離（インパクトイオン化）現象
1.4 電子と正孔の再結合
2. パワー半導体素子の基本デバイス構造
2.1 ダイオード
2.1.1 pn接合の空乏層幅と静電容量
2.1.2 pn接合ダイオードの耐圧
2.1.3 ダイオードの電圧・電流特性
2.1.4 現実のpn接合ダイオード特性
2.1.5 ダイオードの種類
2.2 ダイオードの用途
2.2.1 整流回路
2.2.2 pn接合ダイオードの逆方向回復特性
2.2.3 PiNダイオード
2.3 電流を制御する基本素子構造
2.3.1 バイポーラ素子
2.3.2 MOS型デバイス
3. パワー半導体デバイス
3.1 縦型パワーMOS素子
3.1.1 縦型パワーMOS素子
3.1.2 スーパージャンクション縦型パワーMOS素子
3.1.3 トレンチ構造縦型パワーMOS素子
3.1.4 アバランシェ降伏
3.2 IGBT
3.2.1 IGBTのラッチアップ
3.2.2 IGBTと縦型パワーMOS素子の使い分け
4. 化合物パワー半導体デバイス
4.1 SiCデバイス
4.1.1 SiCショットキー障壁ダイオードの用途
4.1.2 SiCショットキー障壁ダイオードの構造
4.1.3 SiC縦型パワーMOS素子
4.2 GaNデバイス
4.2.1 GaNデバイス
4.2.2 GaNデバイスの特性劣化
4.2.3 GaNデバイスの逆方向電流特性
5. 回路中のパワーデバイスの過渡応答
5.1 縦型パワーMOS素子の端子間容量
5.2 ゲート容量の回路特性への影響
5.3 縦型パワーMOS素子のターンオン・ターンオフ過程
5.3.1 ゲート容量と配線インダクタンスの共振（リンギング）
5.3.2 ゲート駆動法の工夫
5.4 GaNデバイスの課題
5.5 ダブルパルス試験
5.5.1 ターンオフ過程
5.5.2 ターンオン過程
6. パワーデバイスの熱解析
6.1 熱伝導の物理
6.2 発熱素子温度の定常解
6.3 発熱素子温度の過渡解
6.3.1 熱インピーダンス
6.3.2 熱インピーダンスのパラメータ抽出法
6.3.3 パルス発熱時の最大上昇温度
6.3.4 繰り返し発熱によるチップ温度の上昇
7. コンデンサ
7.1 誘電体の物性
7.1.1 原子レベルで見た分極の種類
7.1.2 誘電体の分極と複素誘電率
7.2 コンデンサ
7.2.1 コンデンサの周波数特性
7.2.2 コンデンサの用途
7.2.3 コンデンサの種類
7.3 電解コンデンサ
7.3.1 湿式アルミ電解コンデンサの電気特性
7.3.2 湿式アルミ電解コンデンサの寿命
7.3.3 導電性高分子電解コンデンサ
7.3.4 電解コンデンサの漏れ電流と誘電吸収
7.4 フィルムコンデンサ
7.4.1 フィルムコンデンサの種類と材料
7.4.2 各種フィルムコンデンサの特徴
7.4.3 誘電吸収と絶縁抵抗
7.4.4 自己修復
7.5 セラミックコンデンサ
7.5.1 常誘電体セラミックコンデンサ（クラス1）
7.5.2 強誘電体セラミックコンデンサ（クラス2）
7.5.3 強誘電体セラミックコンデンサの特性
7.5.4 セラミックコンデンサのまとめ
7.5.5 異種コンデンサの並列接続による反共振現象
8. コイル
8.1 磁性の起源
8.1.1 軟磁性体
8.1.2 フェライトの構造とその特性
8.1.3 スイッチング電源回路における磁性体の役割
8.2 コイルの蓄積エネルギーと電力損失
8.2.1 蓄積エネルギー
8.2.2 コイルの電力損失
8.3 現実のコイルにおける注意事項
8.3.1 自己共振周波数
8.3.2 インダクタンスの電流依存性
9. インダクタと磁気回路
9.1 コイルの磁気エネルギー
9.1.1 磁性体コイル
9.1.2 エアギャップのある磁性体コアのコイル
9.2 市販コイルの構造
10. トランス
10.1 トランスの等価回路モデル
10.2 トランスの作製
10.2.1 材料（磁性体コア，被膜銅線）の選択
10.2.2 銅線の巻き方
10.2.3 静電遮蔽（ファラデーシールド）
引用・参考文献
索引
