1. 半導体中の電気伝導
1.1 バンド理論の概略
1.1.1 ボーアの水素原子モデル
1.1.2 電子軌道と量子数
1.1.3 エネルギー帯構造
1.1.4 正 孔
1.1.5 金属・半導体・絶縁体
1.2 半導体中のキャリア濃度
1.2.1 状態密度
1.2.2 分布関数
1.2.3 真正半導体
1.2.4 n型半導体・P型半導体
1.2.5 キャリア濃度の温度依存性
1.2.6 フェルミ準位
1.3 半導体中の電気伝導
1.3.1 有効質量
1.3.2 電界によるキャリアの移動
1.3.3 拡散によるキャリアの移動とアインシュタインの関係
1.3.4 キャリアの熱励起と再結合
1.3.5 少数キャリア連続の式
1.3.6 光によるキャリアの励起
1.3.7 半導体の電気抵抗の変化を利用する電子素子
1.4 電気的特性の評価方法
1.4.1 測定資料の作製
1.4.2 抵抗率(導電率)の測定
1.4.3 ホール効果(μ，nの測定)
1.5 演習問題
2. pn接合ダイオード
2.1 pn接合のエネルギー帯図
2.1.1 pn接合の整流性
2.1.2 エネルギー帯図
2.2 pn接合ダイオードの電流-電圧特性
2.2.1 電圧を加えたときのエネルギー帯図
2.2.2 少数キャリアの注入
2.2.3 電流-電圧特性
2.2.4 少数キャリアの蓄積効果
2.2.5 ダイオードの降伏現象
2.3 pn接合ダイオードの空乏層容量
2.3.1 空乏層中の電位分布
2.3.2 容量-電圧特性
2.4 pn接合の評価方法
2.4.1 電流-電圧特性によるpn接合の評価
2.4.2 容量-電圧特性による評価とバンド図の描き方
2.5 光とpn接合
2.5.1 光起電力効果(太陽電池)
2.5.2 光センサ
2.5.3 発光ダイオード，レーザダイオード
2.6 演習問題
3. 金属-半導体接触
3.1 金属-半導体接触のエネルギー帯図
3.1.1 金属と半導体の接触
3.1.2 ショットキー接触とオーミック接触
3.1.3 エネルギー帯図の描き方
3.2 ショットキー接触の電流-電圧特性
3.2.1 順方向と逆方向
3.2.2 ベーテのダイオード理論(熱電子放出理論)
3.3 ショットキー接触の容量-電圧特性
3.3.1 空乏層中の電位分布
3.2.2 ショットキー接触の容量-電圧特性
3.4 ショットキー接触の評価
3.4.1 電流-電圧特性による評価
3.4.2 容量-電圧特性による評価
3.5 オーミック接触
3.5.1 オーミック接触の形成方法
3.5.2 電極を含むpn接合のエネルギー帯図
3.6 演習問題
4. バイポーラトランジスタ(pn接合トランジスタ)
4.1 トランジスタの動作原理
4.1.1 トランジスタの構造
4.1.2 トランジスタの基本原理と電力増幅作用
4.1.3 トランジスタの静特性
4.1.4 エミッタ接地の静特性
4.2 トランジスタにおけるキャリアの動き
4.2.1 エミッタ接地とpn接合ダイオードの比較
4.2.2 コレクタ接地とpn接合ダイオードの比較
4.2.3 トランジスタの動作状態と中性ベース領域の少数キャリア分布
4.2.4 少数キャリアの蓄積効果
4.3 ベース領域の解析
4.3.1 ベース接地増幅電流率α
4.3.2 トランジスタの周波数特性
4.4 演習問題
5. 電界効果トランジスタ
5.1 MIS・FETの基本原理と半導体表面の物理
5.1.1 FETの基本原理
5.1.2 MISダイオード
5.2 MIS(MOS)・FET
5.2.1 MIS・FETの構造と基本動作
5.2.2 MIS・FETの静特性
5.2.3 しきい値電圧
5.3 接合地FET
5.3.1 接合地FETの構造と動作原理
5.3.2 MES・FET(J・FET)の静特性
5.4 バイポーラトランジスタとFETの比較
5.4.1 静特性の比較
5.5 演習問題
6. 演習問題略解例
7. 物理定数表，代表的な半導体の物性定数
8. 参考文献
9. 索 引
