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次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎-Siから新材料への新展開-

著:田中 保宣

内容紹介

本書は、ワイドバンドギャップ 半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSi パワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者を著者に迎え編集したものです。炭化ケイ素(SiC)…もっと見る▼

目次
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著者略歴

所属:(国研)産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター
経歴:大阪大学大学院で博士号を取得後、1996年に工業技術院電子技術総合研究所(当時)に入所。低速イオン散乱法 (ISS) やラザフォード後方散乱分光法(RBS)による半導体表面分析、及び炭化ケイ素(SiC)へのイオン注入による伝導度制御技術開発に従事。2001年に (独) 産業技術総合研究所 (当時) に改組後、一貫してSiCパワーデバイスのプロセス技術開発、デバイス構造設計・デバイス開発に携わり現在に至る。現職は産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター・副研究センター長。
専門:半導体物性、半導体デバイス
所属学会:応用物理学会、電気学会

  • ISBN
    9784904774953
  • 出版社
    科学情報出版
  • 判型
    A5
  • ページ数
    279ページ
  • 定価
    4500円(本体)
  • 発行年月日
    2021年01月