薄膜化技術
第3版
著：和佐 清孝
著：早川 茂
内容紹介
初版を発行してから20年、第2版を出版してから10年が経過した。初版出版後、薄膜はディスプレイやメモリーディスクなど半導体IC以外のエレクトロニクス分野にも重要視されてきた。第2版出版後の最近の10年を見ると、原子スケールでの材料技術を特徴としている薄膜は、ナノスケール材料、デバイス形成の要素技術であり、21世紀においてエレクトロニクスや産業技術分野でますます重要となることが分かってきた。この第3版においては、最近の薄膜技術を基礎科学的な視点から追加したもので、古くて新しい技術書である。
目次
第I部 薄膜とその応用
第1章 薄膜材料
1.1 薄膜
1.2 薄膜の特徴
1.3 エレクトロニクスへの応用
第2章 薄膜の形成法と評価
2.1 薄膜の成長と形成条件
2.2 形成法の分類と特徴
2.3 形成法の選択と形成条件
2.4 薄膜の評価
第3章 スパッタプロセスに興味ある現象
3.1 単結晶薄膜の低温合成
3.2 高温材料の低温合成
3.3 低温ドーピング
3.4 異常構造の凍結
3.5 複合材料の合成
3.6 多層構造の連続形成
3.7 スパッタエッチング
第II部 スパッタの基礎と応用
第4章 スパッタの基礎
4.1 スパッタ率とその変化要素
4.2 スパッタ粒子
4.3 スパッタ機構
第5章 スパッタ装置と動作特性
5.1 放電特性
5.2 スパッタ装置
5.3 スパッタ装置の取扱い
第6章 化合物薄膜とスパッタ蒸着
6.1 化合物薄膜とその形成法
6.2 酸化物薄膜の形成
6.3 窒化物薄膜の形成
6.4 変化物，けい化物薄膜の形成
6.5 アモルファス薄膜の形成
6.6 有機物薄膜の形成
6.7 超格子構造の形成
6.8 強磁界中のスパッタによる化合物薄膜の形成
第7章 薄膜構造の精密制御とナノメータ構造
7.1 ヘテロエピタキシャル膜の形成
7.2 微細構造の制御
7.3 ナノメータ構造と薄膜プロセス
付録1. 薄膜実験の基本手法
付録2. 真空･薄膜関連材料技術資料
ISBN：9784320086135
。出版社：共立出版
。判型：A5
。ページ数：328ページ
。定価：5000円（本体）
。発行年月日：2002年06月
。発売日：2002年06月21日
。国際分類コード【Thema（シーマ）】 １：TJF。
